Questões de concursos sobre "Transistores" | Eletrônica - página 1

Selecione a alternativa que complete corretamente a frase, considerando um transistor bipolar genérico:  O ganho de corrente é sempre a razão da __________________. 

Para um transistor bipolar cujo o ganho de corrente é igual a 200 e a corrente de coletor é igual a 100mA. Qual o valor da corrente de Base? 

Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:  ( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo altas frequências.  ( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio.  ( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor.  ( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando comparados com os transistores bipolares.  ( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução.  Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo. 

Sobre o transistor bipolar da figura ao lado, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas: ( ) A configuração apresentada é conhecida como base comum. ( ) O transistor encontra-se na zona ativa. ( ) O transistor encontra-se na zona de saturação. ( ) A configuração apresentada é conhecida como emissor comum. ( ) A corrente de coletor é igual a 10 mA. 
 Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo. 

Considere os seguintes semicondutores: 1. JFET Canal N. 2. Transistor NPN. 3. FET Canal N. 4. MOSFET Canal N. 5. Transistor PNP. 6. MOSFET Canal P. Com relação às simbologias adotadas em desenhos eletrônicos analógicos, numere os parênteses, relacionando as figuras com os respectivos semicondutores. 
 Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta dos parênteses, da esquerda para a direita. 

O componente eletrônico que tem como fator diferencial a amplificação de tensão é denominado:

 Para o circuito a seguir, são dados: .
 ⋅um transitor de silício em que VCC = 12 V, VCE =7 V, IB = 100 µ A e β = 100. 
Pode-se afirmar que a potência dissipada em RE , em mW, vale: 

Normalmente o FET é polarizado para operar após o estrangulamento na região de saturação da corrente, onde o dispositivo tem sua operação definida mais facilmente pela equação de Schockley.  
 Considerando um FET canal n com tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em m A, vale:

Sobre o transistor, é correto afirmar que na região:

Com relação à refrigeração em um semicondutor, é correto afirmar que: